據(jù)電子時報6月5日報道，富士康旗下的子公司成功制造出中國臺灣地區(qū)首片8英寸SiC（碳化硅）晶圓。由于SiC材料晶體生長難度大、材質硬導致切割困難，因此此前該公司僅有能力制造最大6英寸的SiC晶圓。

由于半導體芯片的形狀為矩形，而晶圓為圓形，因此晶圓的面積越大，利用率越高，就能切割出更多的芯片。因此，不論是單晶硅還是碳化硅，使用大尺寸晶圓/襯底制造芯片，有助于芯片廠商降低成本。

目前全球碳化硅產品比較緊缺，新能源電動汽車逐漸從IGBT轉向更高端的SiC MOSFET，增大了碳化硅芯片的需求。該領域眾多公司，都在積極尋求穩(wěn)定的SiC襯底供應來源。

蘇州富怡達超聲波有限公司（SZFEAT）成立于2008年，是一家專業(yè)從事非標準工業(yè)自動化精密清洗裝備及清洗周邊設備研發(fā)、制造、營銷及服務于一體的國家高新技術企業(yè)。擁有10多年的精密清洗裝備研發(fā)、制造技術沉淀，20年的清洗裝備應用、維護經(jīng)驗；30多項專利，近1000家用戶，3000余臺精密清洗設備成功使用案例。

富怡達超聲波精密清洗裝備主要應用于藍寶石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、氮化鋁(AlN)等襯底材料切割、研磨、拋光、貼片、退火前后、去蠟等工序間清洗。